La tecnología conocida como memoria de cambio de fase (phase-change RAM), puede ser una de las llamadas a reemplazar, o por lo menos dar una dura competencia, a las memorias Flash. Por su parte compañías y científicos se afanan en aumentar las capacidades de los chips, que día tras día deben albergar más data.

Abarrotados de celdas, los procesadores de memoria se han vuelto tan pequeños como permite la física, mientras que los fabricantes experimentan ahora con nuevas tecnologías que podrían sacudir una industria de US$50.000 millones.

Se espera que los procesadores actuales alcancen un límite físico en los próximos cinco años, iniciando una carrera entre fabricantes para encontrar la tecnología que reemplace a las memorias flash NAND y las de acceso aleatorio dinámico (DRAM), los dos estándares que han impulsado el mundo de la informática.

"Se está abriendo toda una nueva ventana de posibilidades que para los científicos es increíblemente emocionante y para las empresas es increíblemente terrorífica", dijo Gary Bronner, vicepresidente de Rambus Labs, una empresa de licencias de tecnología que se especializa en memoria. "A la gente no le gustan la incertidumbre y el cambio", declaró.

Aunque algunas empresas ya están despachando productos con nuevas tecnologías, la cantidad es pequeña y la promesa inicial de algunos anuncios a menudo da paso al silencio o a planes rebajados, mientras que los fabricantes líderes están reduciendo riesgos invirtiendo tanto en nueva como en vieja tecnología.

Por ahora, todos los dispositivos dependen de RAM, de discos duros tradicionales o de flash, manejando datos y aplicaciones entre el procesador y espacio de disco. El precio y el rendimiento de estas tecnologías dictan cuál se usa y en qué cantidad.

Por ejemplo, el fundador y después presidente ejecutivo de SanDisk, Eli Harari, no pudo cumplir la petición de Steve Jobs en el 2001 de suministrar memoria flash para el primer iPod de Apple, porque no pudo competir en precio con los mini discos duros.

Sin embargo, en cuatro años el flash era lo bastante barato y pequeño para que Apple pudiera diseñar el diminuto iPod Nano, y los precios han caído tanto desde entonces que todos los teléfonos, tabletas e incluso portátiles ligeros utilizan flash.

Pero con su éxito ha llegado el problema. Conforme los fabricantes embuten más memoria en menos espacio, se acercan a los límites de lo que es físicamente posible con tan pocos electrones con los que jugar.

Ahí entran los experimentos de grandes y pequeños fabricantes con nuevas tecnologías, que no dependen de cargas eléctricas para almacenar datos sino de cambiar la estructura de los materiales. Al menos en teoría, eso debería hacerlos más escalables.

La RAM magnetoresistiva (MRAM) se desarrolló en un principio por Honeywell para satélites y el Ejército. La empresa de Arizona, Everspin Technologies, primera y por ahora única fabricante comercial de MRAM, adoptó una versión posterior.

Una tecnología rival es la memoria de cambio de fase, llamada PCM o en ocasiones PCRAM o PRAM, que usa la propiedad única del llamado vidrio calcógeno, que ya se utiliza en CD grabables para cambiar entre dos estados. El PCM puede almacenar muchos datos pero es más lento que el DRAM, así que podría utilizarse en combinación con otras tecnologías o como posible sustituto para el flash.

El primer paso para cualquiera de estas tecnologías es abrirse un espacio en el mercado, por pequeño que sea. El flash, por ejemplo, empezó sustituyendo a la cinta de cassette en máquinas de contestador automático en la década de 1990.